Inquiry
Form loading...
ପୋରସ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସେରାମିକ୍ସର ଗୁଣ ଅନୁସନ୍ଧାନ |

ଶିଳ୍ପ ସମ୍ବାଦ |

ସମ୍ବାଦ ବର୍ଗଗୁଡିକ |
ବ Feat ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ସମ୍ବାଦ |

ପୋରସ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସେରାମିକ୍ସର ଗୁଣ ଅନୁସନ୍ଧାନ |

2024-10-18

ପୋରସର ବିଶେଷ ଗୁଣ | ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସେରାମିକ୍ସ |ମୁଖ୍ୟତ its ଏହାର ସ୍ por ତନ୍ତ୍ର ପୋରସ୍ ଗଠନ ହେତୁ ହୋଇଥାଏ, ଯେଉଁଥିରେ ପୋରୋସିଟି, ପୋର ସାଇଜ୍ ଏବଂ ବଣ୍ଟନ, ଏବଂ ଗାତର ଆକୃତି ଥାଏ | ତେଣୁ, ଏହାର ପୋରୋସିଟି, ପୋର ସାଇଜ୍ ଏବଂ ବଣ୍ଟନ, ଏବଂ ପୋର ଆକୃତିକୁ ନିୟନ୍ତ୍ରିତ ପଦ୍ଧତି ପାଇବା ପାଇଁ ପ୍ରସ୍ତୁତି ପ୍ରଣାଳୀ ମାଧ୍ୟମରେ ନିୟନ୍ତ୍ରଣ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ | ତେଣୁ ଏହାର ପ୍ରସ୍ତୁତି ପଦ୍ଧତି ଅନୁସନ୍ଧାନର କେନ୍ଦ୍ରବିନ୍ଦୁ ପାଲଟିଛି |

ପୋରସ୍ ସିସି ସିରାମିକ୍ସର ଗୁଣ |

୧।ମୂଳ ଗୁଣ |

ପୋରୋସିଟି |

ପୋରୋସିଟି ହେଉଛି ଏକ ଖୋଲା ପଦାର୍ଥରେ ଖୋଲା ଦ୍ occupied ାରା ଦଖଲ ହୋଇଥିବା ଭଲ୍ୟୁମର ଶତକଡ଼ା (ଖୋଲା ଖୋଲା, ଅଧା ଖୋଲା ଖୋଲା ଏବଂ 3 ପ୍ରକାରର ବନ୍ଦ ଖୋଲା ଅନ୍ତର୍ଭୂକ୍ତ କରି) | ଅନୁସନ୍ଧାନରୁ ଜଣାପଡିଛି ଯେ ଖଣ୍ଡିଆ ସାମଗ୍ରୀର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ମୁଖ୍ୟତ the ଘୋରତା ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ |

ଓଂ ମୋର୍ଫୋଲୋଜି |

ପୋର ମର୍ଫୋଲୋଜି ପୋରସ୍ ସେରାମିକ୍ସରେ ପୋରସ୍ ର ମର୍ଫୋଲୋଜି କୁ ବୁ .ାଏ | ଯେତେବେଳେ ଖାଲଗୁଡ଼ିକ ସମାନ୍ତରାଳ ଭାବରେ ଦେଖାଯାଏ, ପଦାର୍ଥର ସାମଗ୍ରିକ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ହେଉଛି ଆଇସୋଟ୍ରୋପିକ୍ | କିନ୍ତୁ ଯେତେବେଳେ ଛିଦ୍ରଗୁଡିକ ଷ୍ଟ୍ରାଇଡ୍ କିମ୍ବା ସମତଳ, ଯେପରିକି ସିଲିକନ୍ ପ୍ରତିକ୍ରିୟାରେ ସିନ୍ଟରିଙ୍ଗ୍ ପୋରସ୍ ସିସି ସେରାମିକ୍ସ ଦ୍ୱାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ କାଠର କାର୍ବନାଇଜେସନ୍ ମାଧ୍ୟମରେ, ଖୋଲା ଗଠନ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଦିଗ |

ଘୋର ବ୍ୟାସ ଏବଂ ବଣ୍ଟନ |

ମାଇକ୍ରୋପୋରସ୍ ସାମଗ୍ରୀ ପାଇଁ 2nm ରୁ କମ୍ ବ୍ୟାସ, ମେସୋପୋରସ୍ ସାମଗ୍ରୀ ପାଇଁ 2 ~ 50nm ମଧ୍ୟରେ ଖୋଲା ଆକାର, ମାକ୍ରୋପୋରସ୍ ସାମଗ୍ରୀ ପାଇଁ 20nm ରୁ ଅଧିକ ଆକାର | ଖୋଲା ଆକାର ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାର ଅଧିକ ପ୍ରଭାବର ବଣ୍ଟନ ଦ୍ per ାରା, ବିସ୍ତାର ଯୋଗ୍ୟତା, ବ୍ୟାପ୍ତତା ହାର ଏବଂ ଫିଲ୍ଟରେସନ୍ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଅନ୍ତର୍ଭୁକ୍ତ |

୨।ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ |

ଖରାପ SiC ସେରାମିକ୍ |ସାମଗ୍ରୀ ଭଙ୍ଗୁର ଏବଂ ସେମାନଙ୍କର ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ ସାଧାରଣତ b ନଇଁବା କିମ୍ବା ସଙ୍କୋଚନ ଶକ୍ତି ଦ୍ୱାରା ବର୍ଣ୍ଣିତ | ପୋରୋସିଟି ଏବଂ ପ୍ରସ୍ତୁତି ପଦ୍ଧତିର ପୋରସ୍ ସିସି ସେରାମିକ୍ସର ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ ଉପରେ ଏକ ବଡ଼ ପ୍ରଭାବ ପଡିଥାଏ |

3ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି |

ପୋରୋସିଟି ଏବଂ ପୋର୍ ମର୍ଫୋଲୋଜିର ପୋରସ୍ ସେରାମିକ୍ସର ତାପଜ ଚାଳନା ଉପରେ ଏକ ବଡ଼ ପ୍ରଭାବ ପଡିଥାଏ | ୟୁନିଫର୍ମ ପୋର ବଣ୍ଟନ ସହିତ ପୋରସ୍ ସିରାମିକ୍ସ ପାଇଁ, ଥର୍ମାଲ୍ କଣ୍ଡକ୍ଟିଭିଟି ଧୀରେ ଧୀରେ କମିଯାଏ | ଅବଶ୍ୟ, ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଦ୍ prepared ାରା ପ୍ରସ୍ତୁତ ପୋରସ୍ ସିରାମିକ୍ ସାମଗ୍ରୀର ପୋର ମର୍ଫୋଲୋଜି ହେତୁ ସେଠାରେ ବହୁତ ପାର୍ଥକ୍ୟ ଅଛି, ତେଣୁ ଉତ୍ତାପ ସ୍ଥାନାନ୍ତର ପ୍ରକ୍ରିୟା ଅନୁରୂପ ପରିବର୍ତ୍ତନଶୀଳ ଏବଂ ଜଟିଳ |

ଖରାପ SiC ସେରାମିକ୍ସ |SiC ର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଭ physical ତିକ ଗୁଣଗୁଡିକ ଅଛି, ଯେପରିକି ଉଚ୍ଚ ବଲ୍କ ସାନ୍ଦ୍ରତା, ଉଚ୍ଚ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଭୂପୃଷ୍ଠ, ଉଚ୍ଚ କଠିନତା, କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧ, ଉଚ୍ଚ ତାପମାତ୍ରା ପ୍ରତିରୋଧ, ଉଚ୍ଚ ତାପଜ ତାପମାତ୍ରା, ତାପଜ ବିସ୍ତାରର ନିମ୍ନ କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ୍ ଏବଂ ତାପଜ ଶକ୍ ପ୍ରତିରୋଧ | ସେରାମିକ୍ସର ପ୍ରକୃତିର ସନ୍ତୁଷ୍ଟତା |

ପୋରସ୍ ସିଲିକନ୍ କାର୍ବାଇଡ୍ ସେରାମିକ୍ସ। Jpg ର ଗୁଣ ଅନୁସନ୍ଧାନ |